安规电容


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FQPF9N90C
产品名称:

FQPF9N90C


产品特性:
介质材料:
应用范围:
功率特性:
频率特性:
调节方式:
引线类型:
漏电流:

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。

特性
8.0A, 900V, RDS(on) = 1.4Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 4A栅极电荷低(典型值:45nC)
低 Crss(典型值14pF)
100% 经过雪崩击穿测试

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